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GaN HEMT为开关利用带来低噪声功率
作者:admin日期:2025/03/16 09:15浏览:
氮化镓 高电子迁徙率晶体管 是场效应晶体管的一种情势,它在微波频率下任务时联合了高程度的机能跟低噪声系数。本文援用地点:不外,HEMT 与其余范例的 FET 器件有些差别,它的机能优于尺度结或 MOSFET。这些奇特的器件在微波射频 (RF) 利用中表示杰出。来自 n 型地区的电子穿过晶格,很多电子坚持在异质结邻近(异质结是指经由过程两个或多个半导体的打仗耦合构成的界面地区)。这种只有一层厚的电子构成二维电子气体。650V GaNHEMT 的开关能量 (Esw) 是在硬开关前提下丈量的。它能够与存在雷同额外电流的 1,200 V 跟 650 V SiC-MOSFET 停止比拟。在这种情形下,GaN HEMT 器件的 Esw 小于 1,200 V SiC MOSFET,而 1,200 V SiC MOSFET 又小于 650 V SiC MOSFET。GaN 开关器件7 支撑高频跟千瓦级功率转换。这些器件加上迁徙率、击穿场跟速率等资料特征,可实现高功率开关等利用,并存在远高于硅基功率器件的 100 倍机能上风(VBR2/R开启)。GaN 器件将低消耗开关机能跟高速完善联合,是可能在兆赫兹地域实现超高带宽的新兴开关电源。这些范例的电源能够进步团体效力,从而为射频基站功率缩小器以及相控阵雷达的发射/接受 (T/R) 模块等利用供给疾速瞬态呼应。经由过程应用 GaN 开关停止计划,比方应用超高带宽功率调理器,计划职员能够轻松实现直流偏置电压调制,乃至转换速度远高于 100 A/μs 的脉冲负载电流。具体懂得 GaN 怎样转变电力电子的格式,以及将其计划到电源中时招考虑的事项。开关速率将可能到达 10 MHz,从而使体系功率密度高于 500 W/in。2 以及 10 kW/lb 的功率分量比。GaN HEMT 还能够到达高于 6麻将胡了官方网站入口00 V 的阻断电压,十分合适高压开关作。别的,存在低导通电阻的年夜电流器件在硅跟 SiC 衬底上采取了 GaN HEMT 技巧,其最年夜电流远高于 30 A。GaN FET 为实现高功率密度供给了最佳道路GaN FET 的功率密度是硅晶体管的两倍,磁性元件能够小 6 倍,并且十分牢靠。8、9、10比方,LLC 转换器是一种谐振逆变器,可用于电气装备跟电源。10,11 首字母缩略词“LLC”代表三个重要组件:两个电感器 (L) 跟一个电容器 (C)。LLC 以其调理电流跟电压的无效性而驰名。其任务道理依附于谐振电路,该电路可实现软开关作,同时下降开关消耗。GaN 出色的开关特征将明显下降 LLC 利用的栅极驱动器消耗跟关断消耗。1188体育平台 MHz 频率会缩开元娱乐app小磁性元件(见图)。英飞凌
LLC 转换器的任务取决于谐振电路,该电路可实现软开关作,同时下降开关消耗。GaN 出色的开关特征将明显下降 LLC 利用的栅极驱动器消耗跟关断消耗。1 MHz 频率会缩小磁性元件的尺寸。LLC 转换器能够将线性收集(即谐振电路跟变压器)与无源跟有源开关相联合。LLC 谐振转换器与尺度开关转换器完整差别,由于它可能经由过程为开关旌旗灯号抉择适合的频率来把持输出电压。功率转换器的 DOSA 尺度化散布式电源开放尺度同盟 (DOSA) 增进了电源转换器的 DC-DC 产物尺度化跟兼容性。12,13 同盟的目的是在晚期开辟周期中树立客户接口尺度;这包含引脚规划、形状尺寸、功效集、封装跟其余可能容许替换洽购的参数。DOSA 涵盖普遍的电源转换器。它们包含非断绝式负载点 (POL)、断绝式利用跟旁边总线转换器。2004 年,针对年夜电流四分之一砖的 DOSA 尺度与竞争计划比拟存在很多上风。该尺度划定了增加的引脚的功效跟地位——两个额定的电源引脚位于 0.15 英寸。(3.81 毫米)位于 2004 年四分之一砖电源引脚地位之外,并与 2004 年四分之一砖电源引脚地位坚持分歧。别的,额定的 output pins 应用了其相邻 power pin的相反极性。从转换器到电路板再到转换器的团体环路电感下降了 10 倍。这加强了模块的瞬态呼应机能,下降了输出纹波,并改良了引脚之间的负载电流均衡。额定的输出引脚也下降了负载板的总功耗,从而进步了热机能,下降了领有本钱,并加强了牢靠性。因为两个额定的输出引脚未位于现有引脚前面,因而加重了返工跟目视检讨的累赘。其他的 pins坚持与以后四分之一砖尺度雷同的规划跟功效,这简化了电路板规划,因而两品种型的模块都能够应用。在从前十年中,1/8 DOSA 功率砖型 DC-DC 转换器的最年夜输出功率从 300 W 增添到 600 W,同时坚持了 95% 至 97% 的峰值效力。GaN 的高效力GaN FET 以及集成栅极驱动器跟 GaN 功率器件平日会招致最高效力的 GaN 处理计划。GaN 晶体管的开关速率比硅 MOSFET 快得多,同时带来更低的开关消耗。GaN 功率级将实用于普遍的利用,从电信、电机驱动器跟效劳器到条记本电脑适配器跟电动汽车的车载充电器。

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